带宽比DDR3提升大约12倍
传输每比特数据的能耗比DDR3要低70%


　　要提升内存性能，传统的做法是通过提升频率、增加通道来实现，但内存带宽时常成为瓶颈。与此同时，智能手机和平板电脑的快速发展也对内存模块的能耗与体积有更高的要求，这些设备都需要内存在容量更大的同时体积更小并且更节能。因此，内存技术到了需进一步革新的时候了，为此，美光、三星开发出了一个全新架构的HMC内存。


3D堆叠风吹到内存领域
　　在芯片制造领域，3D堆叠技术正在大行其道，从英特尔的3D三栅极晶体管，到三星3D垂直堆叠型结构NAND闪存芯片(3D V-NAND)，如今内存领域也出现了类似的多层堆叠产品——HMC（Hybrid Memory Cube）内存。
　　HMC内存的基本理念是通过特殊的半导体工艺，把多个DRAM芯片层层堆叠在一起。内存的内部就像建高楼一样，由一层层DRAM晶圆芯片（每一个DRAM晶圆芯片其实可以看成一个没有进行封装的内存芯片）堆叠起来，最终组成一个大容量的内存“芯片”。因此，HMC也被称“混合存储立方体”。值得一提的是，之所以采用DRAM晶圆芯片，是因为堆叠工艺要求较高，如果以芯片对芯片的堆叠方式将耗费极大时间与成本，因此HMC采用晶圆对晶圆的堆叠法这种更便捷和节约成本的方式。
　　当然，芯片内部的DRAM并不是简单的堆叠起来，这里面包含着从高层向低层穿孔以连接电极的蚀刻技术，以及将这些DRAM晶圆芯片垂直围绕在各层板面上的门极结构技术等一系列独特并有突破性的工艺技术。


HMC内存的内部结构