冬天来了，春天不会远了，新旗舰手机更近了，好激动呀……这既是咱机友们的心情，也是SoC厂商的心理写照。这不，高通就冷不丁地公布了2017年的旗舰芯片骁龙835，作为骁龙820/821的继任者，它既让我们对明年旗舰机的性能有新的期待，也不禁想问，除了能创跑分新高，还能有什么更让人兴奋的吗？

先进的制程比核心数更重要

      去年骁龙820的发布时间也是在11月，跟骁龙835相隔刚好差不多一年，不过骁龙835的处境可比去年的820好多了，后者肩负着为高通“退烧”的重任。因此，高通在公布骁龙820时就将其架构、主频、GPU等各项详细参数都一股脑地倒了出来，而此次对于骁龙835其并没有透露过多的信息。主要就告诉我们一件事——它将使用三星10nm制程工艺制造。

      有意思的是，刚好就在高通公布该消息的一个月前，三星宣布其10nm制程芯片工艺实现量产，前后脚的发布消息，这两家公司就像商量好似的。受此打击最大的大概就是另一家芯片代工厂台积电了，不仅再次把“首家实现量产10nm制程工艺芯片厂家”的头衔拱手让给三星，更失掉了传闻中高通骁龙835的大单子。

      台积电在半导体制造工艺方面与三星一直都相互竞争，在14/16nm FinFET工艺量产进度被三星击败后，台积电卯足劲希望在10nm甚至7nm工艺上要领先三星。可惜正如此前的16nm FinFET工艺一样，在正式量产前不断放消息，结果实际时间却延迟了近半年。如今曾信心满满要赶在三星前面的台积电不仅又落后了，更未确定年底能否量产10nm，但愿不要太迟才好。

      因为这不仅关系到台积电自己，其他厂商也因此受到影响。华为海思规划了两款高端芯片麒麟960、麒麟970，前者采用台积电成熟的16nm FinFET工艺，而后者则计划采用台积电的10nm工艺，如果无法如期量产，恐怕华为明年的旗舰新机也会有变数。

      一直希望通过采用领先的工艺而在高端芯片市场有所作为的联发科，如今大概也正在为台积电的10nm工艺量产时间头疼。由于联发科所有芯片都不支持中国移动要求的LTE Cat7而开始被国产手机厂商弃用，它急需推出采用10nm工艺的Helio X30，该芯片支持LTE Cat10技术，这也造成了联发科如今青黄不接的囧况。

      不难看出，高通和三星共同宣布采用10nm工艺制造骁龙835这一消息，无异于联手告诉各自的竞争对手：“来追我呀”，宣示领先地位。或许正因如此，这次骁龙 835 也有了跳数字的命名方式（此前传闻型号应为骁龙830）。

看他们笑得多开心，高通副总裁KeithKressin和三星高级副总裁Ben Suh手中拿着的就是骁龙835芯片